Nature.com 'ਤੇ ਜਾਣ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਧੰਨਵਾਦ।ਤੁਸੀਂ ਸੀਮਤ CSS ਸਮਰਥਨ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਬ੍ਰਾਊਜ਼ਰ ਸੰਸਕਰਣ ਵਰਤ ਰਹੇ ਹੋ।ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਅਨੁਭਵ ਲਈ, ਅਸੀਂ ਸਿਫ਼ਾਰਿਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਾਂ ਕਿ ਤੁਸੀਂ ਇੱਕ ਅੱਪਡੇਟ ਕੀਤੇ ਬ੍ਰਾਊਜ਼ਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ (ਜਾਂ ਇੰਟਰਨੈੱਟ ਐਕਸਪਲੋਰਰ ਵਿੱਚ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਮੋਡ ਨੂੰ ਅਯੋਗ ਕਰੋ)।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਚੱਲ ਰਹੇ ਸਮਰਥਨ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ, ਅਸੀਂ ਸਟਾਈਲ ਅਤੇ JavaScript ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ ਸਾਈਟ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਾਂ।
ਪਰਮਾਣੂ ਸੰਰਚਨਾਵਾਂ ਦਾ ਸਬੰਧ, ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤੌਰ 'ਤੇ ਗੁਣਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਅਮੋਰਫਸ ਠੋਸਾਂ ਦੀ ਵਿਕਾਰ ਦੀ ਡਿਗਰੀ (ਡੀਓਡੀ), ਤਿੰਨ-ਅਯਾਮੀ ਵਿੱਚ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦੀਆਂ ਸਹੀ ਸਥਿਤੀਆਂ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਮੁਸ਼ਕਲ ਦੇ ਕਾਰਨ ਪਦਾਰਥ ਵਿਗਿਆਨ ਅਤੇ ਸੰਘਣਾ ਪਦਾਰਥ ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨ ਵਿੱਚ ਦਿਲਚਸਪੀ ਦਾ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਖੇਤਰ ਹੈ। ਬਣਤਰ 1,2,3,4., ਇੱਕ ਪੁਰਾਣਾ ਰਹੱਸ, 5. ਇਸ ਲਈ, 2D ਸਿਸਟਮ ਸਾਰੇ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਨੂੰ ਸਿੱਧੇ 6,7 ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਨ ਦੀ ਇਜਾਜ਼ਤ ਦੇ ਕੇ ਰਹੱਸ ਦੀ ਸਮਝ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।ਲੇਜ਼ਰ ਡਿਪੋਜ਼ਿਸ਼ਨ ਦੁਆਰਾ ਵਧੇ ਹੋਏ ਕਾਰਬਨ (AMC) ਦੇ ਇੱਕ ਅਮੋਰਫਸ ਮੋਨੋਲੇਅਰ ਦੀ ਸਿੱਧੀ ਇਮੇਜਿੰਗ ਪਰਮਾਣੂ ਸੰਰਚਨਾ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਬੇਤਰਤੀਬ ਨੈਟਵਰਕ ਥਿਊਰੀ 8 ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ ਗਲਾਸੀ ਸੋਲਿਡਸ ਵਿੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਟਸ ਦੇ ਆਧੁਨਿਕ ਦ੍ਰਿਸ਼ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੀ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, ਪਰਮਾਣੂ ਪੈਮਾਨੇ ਦੀ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਮੈਕਰੋਸਕੋਪਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਕਾਰਕ ਸਬੰਧ ਅਸਪਸ਼ਟ ਹਨ।ਇੱਥੇ ਅਸੀਂ ਵਿਕਾਸ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਨੂੰ ਬਦਲ ਕੇ AMC ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਵਿੱਚ DOD ਅਤੇ ਚਾਲਕਤਾ ਦੀ ਆਸਾਨ ਟਿਊਨਿੰਗ ਦੀ ਰਿਪੋਰਟ ਕਰਦੇ ਹਾਂ।ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਪਾਈਰੋਲਾਈਸਿਸ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਤਾਪਮਾਨ ਮੀਡੀਅਮ ਆਰਡਰ ਜੰਪਸ (MRO) ਦੀ ਇੱਕ ਵੇਰੀਏਬਲ ਰੇਂਜ ਦੇ ਨਾਲ ਕੰਡਕਟਿਵ AMCs ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਕੁੰਜੀ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਤਾਪਮਾਨ ਨੂੰ 25 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੱਕ ਵਧਾਉਣ ਨਾਲ AMCs MRO ਨੂੰ ਗੁਆ ਦਿੰਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕਲੀ ਇੰਸੂਲੇਟ ਹੋ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਸ਼ੀਟ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦੇ ਹਨ। 109 ਵਾਰ ਵਿੱਚ ਸਮੱਗਰੀ.ਲਗਾਤਾਰ ਬੇਤਰਤੀਬੇ ਨੈਟਵਰਕਾਂ ਵਿੱਚ ਏਮਬੇਡ ਕੀਤੇ ਬਹੁਤ ਹੀ ਵਿਗਾੜਿਤ ਨੈਨੋਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਟਸ ਦੀ ਕਲਪਨਾ ਕਰਨ ਦੇ ਨਾਲ, ਪਰਮਾਣੂ ਰੈਜ਼ੋਲੂਸ਼ਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਨੇ MRO ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ-ਨਿਰਭਰ ਨੈਨੋਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਟ ਘਣਤਾ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ/ਗੈਰਹਾਜ਼ਰੀ ਦਾ ਖੁਲਾਸਾ ਕੀਤਾ, DOD ਦੇ ਵਿਆਪਕ ਵਰਣਨ ਲਈ ਪ੍ਰਸਤਾਵਿਤ ਦੋ ਆਰਡਰ ਪੈਰਾਮੀਟਰ।ਸੰਖਿਆਤਮਕ ਗਣਨਾਵਾਂ ਨੇ ਇਹਨਾਂ ਦੋ ਪੈਰਾਮੀਟਰਾਂ ਦੇ ਇੱਕ ਫੰਕਸ਼ਨ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਚਾਲਕਤਾ ਦੇ ਨਕਸ਼ੇ ਨੂੰ ਸਥਾਪਿਤ ਕੀਤਾ, ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਨੂੰ ਬਿਜਲਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨਾਲ ਜੋੜਿਆ।ਸਾਡਾ ਕੰਮ ਬੁਨਿਆਦੀ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਆਕਾਰ ਰਹਿਤ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ ਨੂੰ ਸਮਝਣ ਵੱਲ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਦਮ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਆਕਾਰਹੀਣ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰਾਂ ਲਈ ਰਾਹ ਪੱਧਰਾ ਕਰਦਾ ਹੈ।
ਇਸ ਅਧਿਐਨ ਵਿੱਚ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਅਤੇ/ਜਾਂ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸਾਰਾ ਸੰਬੰਧਿਤ ਡੇਟਾ ਵਾਜਬ ਬੇਨਤੀ 'ਤੇ ਸੰਬੰਧਿਤ ਲੇਖਕਾਂ ਤੋਂ ਉਪਲਬਧ ਹੈ।
ਕੋਡ GitHub (https://github.com/vipandyc/AMC_Monte_Carlo; https://github.com/ningustc/AMCProcessing) 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਹੈ।
Sheng, HW, Luo, VK, ਆਲਮਗੀਰ, FM, ਬਾਈ, JM ਅਤੇ Ma, E. ਪਰਮਾਣੂ ਪੈਕਿੰਗ ਅਤੇ ਧਾਤੂ ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਵਿੱਚ ਛੋਟਾ ਅਤੇ ਮੱਧਮ ਕ੍ਰਮ.ਕੁਦਰਤ 439, 419–425 (2006)।
ਗਰੀਰ, AL, ਭੌਤਿਕ ਧਾਤੂ ਵਿਗਿਆਨ ਵਿੱਚ, 5ਵੀਂ ਐਡੀ.(ਐਡਸ. ਲਾਫਲਿਨ, ਡੀਈ ਅਤੇ ਹੋਨੋ, ਕੇ.) 305–385 (ਏਲਸੇਵੀਅਰ, 2014)।
ਜੂ, ਡਬਲਯੂਜੇ ਐਟ ਅਲ.ਇੱਕ ਲਗਾਤਾਰ ਕਠੋਰ ਕਾਰਬਨ ਮੋਨੋਲਾਇਰ ਨੂੰ ਲਾਗੂ ਕਰਨਾ।ਵਿਗਿਆਨ.ਐਕਸਟੈਂਡਡ 3, e1601821 (2017)।
ਟੋਹ, ਕੇ.ਟੀ. ਐਟ ਅਲ.ਅਮੋਰਫਸ ਕਾਰਬਨ ਦੇ ਇੱਕ ਸਵੈ-ਸਹਾਇਤਾ ਮੋਨੋਲਾਇਰ ਦੇ ਸੰਸਲੇਸ਼ਣ ਅਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ।ਕੁਦਰਤ 577, 199–203 (2020)।
ਸਕੋਰ, ਐਸ. ਅਤੇ ਵੇਡਨਹੇਲਰ, ਕੇ. (ਐਡੀ.) ਸਮੱਗਰੀ ਵਿਗਿਆਨ ਵਿੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਾਲੋਗ੍ਰਾਫੀ: ਸਟ੍ਰਕਚਰ-ਪ੍ਰਾਪਰਟੀ ਰਿਲੇਸ਼ਨਸ਼ਿਪ ਤੋਂ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਤੱਕ (ਡੀ ਗ੍ਰੂਟਰ, 2021)।
ਯਾਂਗ, ਵਾਈ. ਐਟ ਅਲ.ਆਕਾਰ ਰਹਿਤ ਠੋਸਾਂ ਦੀ ਤਿੰਨ-ਅਯਾਮੀ ਪਰਮਾਣੂ ਬਣਤਰ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਓ।ਕੁਦਰਤ 592, 60–64 (2021)।
ਕੋਟਾਕੋਸਕੀ ਜੇ., ਕ੍ਰੈਸ਼ੇਨਿਨਿਕੋਵ ਏ.ਵੀ., ਕੈਸਰ ਡਬਲਯੂ. ਅਤੇ ਮੇਅਰ ਜੇ.ਕੇ. ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਵਿੱਚ ਬਿੰਦੂ ਨੁਕਸ ਤੋਂ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਅਮੋਰਫਸ ਕਾਰਬਨ ਤੱਕ।ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨਸਤਿਕਾਰਯੋਗ ਰਾਈਟ.106, 105505 (2011)।
Eder FR, Kotakoski J., Kaiser W., ਅਤੇ Meyer JK ਕ੍ਰਮ ਤੋਂ ਵਿਗਾੜ ਤੱਕ ਦਾ ਮਾਰਗ—ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਤੋਂ 2D ਕਾਰਬਨ ਗਲਾਸ ਤੱਕ ਪਰਮਾਣੂ ਦੁਆਰਾ ਪਰਮਾਣੂ।ਵਿਗਿਆਨ.ਹਾਊਸ 4, 4060 (2014)।
ਹੁਆਂਗ, ਪੀ.ਯੂ.ਅਤੇ ਬਾਕੀ.2D ਸਿਲਿਕਾ ਗਲਾਸ ਵਿੱਚ ਪਰਮਾਣੂ ਪੁਨਰਗਠਨ ਦਾ ਵਿਜ਼ੂਅਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ: ਸਿਲਿਕਾ ਜੈੱਲ ਡਾਂਸ ਦੇਖੋ।ਵਿਗਿਆਨ 342, 224–227 (2013)।
ਲੀ ਐੱਚ. ਐਟ ਅਲ.ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਫੁਆਇਲ 'ਤੇ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਅਤੇ ਇਕਸਾਰ ਵੱਡੇ-ਖੇਤਰ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਫਿਲਮਾਂ ਦਾ ਸੰਸਲੇਸ਼ਣ।ਵਿਗਿਆਨ 324, 1312–1314 (2009)।
ਰੀਨਾ, ਏ. ਆਦਿ.ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾਂ ਕਰਕੇ ਮਨਮਾਨੇ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ 'ਤੇ ਘੱਟ-ਪਰਤ, ਵੱਡੇ-ਖੇਤਰ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਫਿਲਮਾਂ ਬਣਾਓ।ਨੈਨੋਲੇਟ.9, 30-35 (2009)।
ਨੰਦਾਮੁਰੀ ਜੀ., ਰੁਮੀਮੋਵ ਐਸ. ਅਤੇ ਸੋਲੰਕੀ ਆਰ. ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਦਾ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨਾ।ਨੈਨੋ ਤਕਨਾਲੋਜੀ 21, 145604 (2010)।
ਕਾਈ, ਜੇ. ਐਟ ਅਲ.ਚੜ੍ਹਦੇ ਪਰਮਾਣੂ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੁਆਰਾ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਨੈਨੋਰੀਬਨ ਦਾ ਨਿਰਮਾਣ।ਕੁਦਰਤ 466, 470–473 (2010)।
ਕੋਲਮਰ ਐੱਮ. ਐਟ ਅਲ.ਧਾਤੂ ਆਕਸਾਈਡ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪ੍ਰਮਾਣੂ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਨੈਨੋਰੀਬਨ ਦਾ ਤਰਕਸ਼ੀਲ ਸੰਸਲੇਸ਼ਣ।ਵਿਗਿਆਨ 369, 571–575 (2020)।
ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਨੈਨੋਰੀਬਨ ਦੀਆਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰਨ ਲਈ ਯਾਜ਼ੀਵ ਓਵੀ ਦਿਸ਼ਾ-ਨਿਰਦੇਸ਼।ਸਟੋਰੇਜ਼ ਰਸਾਇਣ.ਸਟੋਰੇਜ਼ ਟੈਂਕ.46, 2319–2328 (2013)।
ਜੰਗ, ਜੇ. ਐਟ ਅਲ.ਵਾਯੂਮੰਡਲ ਦੇ ਦਬਾਅ ਦੇ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਦੇ ਜਮ੍ਹਾਂ ਹੋਣ ਦੁਆਰਾ ਬੈਂਜੀਨ ਤੋਂ ਠੋਸ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਫਿਲਮਾਂ ਦਾ ਘੱਟ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਧਾ।ਵਿਗਿਆਨ.ਹਾਊਸ 5, 17955 (2015)।
ਚੋਈ, ਜੇਐਚ ਐਟ ਅਲ.ਵਧੇ ਹੋਏ ਲੰਡਨ ਡਿਸਪਰਸ਼ਨ ਫੋਰਸ ਦੇ ਕਾਰਨ ਤਾਂਬੇ 'ਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਵਾਧੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਮੀ।ਵਿਗਿਆਨ.ਹਾਊਸ 3, 1925 (2013)।
ਵੂ, ਟੀ. ਐਟ ਅਲ.ਹੈਲੋਜਨ ਨੂੰ ਬੀਜਾਂ ਦੇ ਬੀਜਾਂ ਵਜੋਂ ਪੇਸ਼ ਕਰਕੇ ਘੱਟ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਲਗਾਤਾਰ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਫਿਲਮਾਂ ਦਾ ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਨੈਨੋਸਕੇਲ 5, 5456–5461 (2013)।
Zhang, PF et al.ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ B2N2-ਪਰੀਲੀਨ ਵੱਖ-ਵੱਖ BN ਸਥਿਤੀਆਂ ਦੇ ਨਾਲ।ਐਂਜੀ.ਰਸਾਇਣਕ.ਅੰਦਰੂਨੀ ਐਡ.60, 23313–23319 (2021)।
ਮਲਾਰ, ਐਲ.ਐਮ., ਪਿਮੇਂਟਾ, ਐਮ.ਏ., ਡਰੇਸਲਹੌਸ, ਜੀ. ਅਤੇ ਡਰੇਸਲਹੌਸ, ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਵਿੱਚ ਐਮ.ਐਸ. ਰਮਨ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ।ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨਪ੍ਰਤੀਨਿਧੀ 473, 51–87 (2009)।
ਈਗਾਮੀ, ਟੀ. ਐਂਡ ਬਿਲਿੰਗ, ਐਸਜੇ ਬਿਨਥ ਦ ਬ੍ਰੈਗ ਪੀਕਸ: ਸਟ੍ਰਕਚਰਲ ਐਨਾਲਾਈਸਿਸ ਆਫ਼ ਕੰਪਲੈਕਸ ਮੈਟੀਰੀਅਲ (ਐਲਸੇਵੀਅਰ, 2003)।
Xu, Z. et al.ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ TEM ਬਿਜਲਈ ਚਾਲਕਤਾ, ਰਸਾਇਣਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਅਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਆਕਸਾਈਡ ਤੋਂ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਵਿੱਚ ਬੰਧਨ ਵਿੱਚ ਬਦਲਾਅ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।ACS ਨੈਨੋ 5, 4401–4406 (2011)।
ਵੈਂਗ, ਡਬਲਯੂਐਚ, ਡੋਂਗ, ਸੀ. ਅਤੇ ਸ਼ੇਕ, ਸੀਐਚ ਵੌਲਯੂਮੈਟ੍ਰਿਕ ਧਾਤੂ ਗਲਾਸ।ਅਲਮਾ ਮੈਟਰਵਿਗਿਆਨ.ਪ੍ਰੋਜੈਕਟ.ਆਰ ਰਿਪ. 44, 45–89 (2004)।
ਮੋਟ ਐਨਐਫ ਅਤੇ ਡੇਵਿਸ ਈਏ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਅਮੋਰਫਸ ਮੈਟੀਰੀਅਲਜ਼ (ਆਕਸਫੋਰਡ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਪ੍ਰੈਸ, 2012)।
ਕੈਸਰ ਏਬੀ, ਗੋਮੇਜ਼-ਨਵਾਰੋ ਸੀ., ਸੁੰਦਰਮ ਆਰ.ਐਸ., ਬਰਘਾਰਡ ਐਮ. ਅਤੇ ਕੇਰਨ ਕੇ. ਰਸਾਇਣਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਡੈਰੀਵੇਟਾਈਜ਼ਡ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਮੋਨੋਲੇਅਰਾਂ ਵਿੱਚ ਸੰਚਾਲਨ ਵਿਧੀ।ਨੈਨੋਲੇਟ.9, 1787–1792 (2009)।
ਅੰਬੇਗਾਓਕਰ ਵੀ., ਗੈਲਪਰਿਨ ਬੀਆਈ, ਲੈਂਗਰ ਜੇਐਸ ਹੋਪਿੰਗ ਕੰਡਕਸ਼ਨ ਇਨ ਵਿਕਾਰਡ ਸਿਸਟਮ।ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨਐਡ.ਬੀ 4, 2612–2620 (1971)।
Kapko V., Drabold DA, Thorp MF ਅਮੋਰਫਸ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਇੱਕ ਯਥਾਰਥਵਾਦੀ ਮਾਡਲ ਦੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਬਣਤਰ।ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨਸਟੇਟ ਸੋਲੀਡੀ ਬੀ 247, 1197–1200 (2010)।
ਥਾਪਾ, ਆਰ., ਉਗਵੁਮਾਡੂ, ਸੀ., ਨੇਪਾਲ, ਕੇ., ਟ੍ਰੈਂਬਲੀ, ਜੇ. ਐਂਡ ਡਰਾਬੋਲਡ, ਡੀਏ ਐਬ ਇਨੀਸ਼ੀਓ ਮਾਡਲਿੰਗ ਆਫ਼ ਅਮੋਰਫਸ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ।ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨਸਤਿਕਾਰਯੋਗ ਰਾਈਟ.128, 236402 (2022)।
ਮੋਟ, ਅਮੋਰਫਸ ਮੈਟੀਰੀਅਲ ਐਨਐਫ ਵਿੱਚ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ।3. ਸੂਡੋਗੈਪ ਵਿੱਚ ਅਤੇ ਸੰਚਾਲਨ ਅਤੇ ਵੈਲੈਂਸ ਬੈਂਡਾਂ ਦੇ ਸਿਰਿਆਂ ਦੇ ਨੇੜੇ ਸਥਾਨਿਕ ਰਾਜ।ਦਾਰਸ਼ਨਿਕਮੈਗ19, 835-852 (1969)।
Tuan DV et al.ਅਮੋਰਫਸ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਫਿਲਮਾਂ ਦੀਆਂ ਇਨਸੂਲੇਟਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ।ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨਸੰਸ਼ੋਧਨ ਬੀ 86, 121408 (ਆਰ) (2012)।
ਲੀ, ਵਾਈ., ਇਨਮ, ਐੱਫ., ਕੁਮਾਰ, ਏ., ਥੌਰਪ, ਐੱਮਐੱਫ ਅਤੇ ਡਰਾਬੋਲਡ, ਡੀਏ ਪੈਂਟਾਗੋਨਲ ਅਮੋਰਫਸ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੀ ਇੱਕ ਸ਼ੀਟ ਵਿੱਚ ਫੋਲਡ ਕਰਦੇ ਹਨ।ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨਸਟੇਟ ਸੋਲੀਡੀ ਬੀ 248, 2082–2086 (2011)।
ਲਿਊ, ਐਲ. ਐਟ ਅਲ.ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਬੋਰਾਨ ਨਾਈਟਰਾਈਡ ਦਾ ਹੈਟਰੋਏਪੀਟੈਕਸੀਲ ਵਾਧਾ ਗ੍ਰੈਫੀਨ ਪਸਲੀਆਂ ਦੇ ਨਾਲ ਪੈਟਰਨ ਵਾਲਾ।ਵਿਗਿਆਨ 343, 163–167 (2014)।
ਇਮਾਡਾ ਆਈ., ਫੁਜੀਮੋਰੀ ਏ. ਅਤੇ ਟੋਕੁਰਾ ਵਾਈ. ਮੈਟਲ-ਇੰਸੂਲੇਟਰ ਤਬਦੀਲੀ।ਪੁਜਾਰੀ ਮੋਡ.ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨ70, 1039–1263 (1998)।
ਸਿਗਰਿਸਟ ਟੀ. ਐਟ ਅਲ.ਇੱਕ ਪੜਾਅ ਤਬਦੀਲੀ ਦੇ ਨਾਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਵਿਗਾੜ ਦਾ ਸਥਾਨੀਕਰਨ।ਨੈਸ਼ਨਲ ਅਲਮਾ ਮੇਟਰ।10, 202-208 (2011)।
Krivanek, OL et al.ਇੱਕ ਹਨੇਰੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਰਿੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਐਟਮ-ਬਾਈ-ਐਟਮ ਢਾਂਚਾਗਤ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ।ਕੁਦਰਤ 464, 571–574 (2010)।
ਕ੍ਰੇਸ, ਜੀ. ਅਤੇ ਫੁਰਟਮੂਲਰ, ਜੇ. ਪਲੇਨ ਵੇਵ ਬੇਸਿਸ ਸੈੱਟਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਕੁੱਲ ਊਰਜਾ ਗਣਨਾ ਲਈ ਐਬ ਇਨੀਸ਼ਿਓ ਲਈ ਕੁਸ਼ਲ ਦੁਹਰਾਓ ਸਕੀਮ।ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨਐਡ.ਬੀ 54, 11169–11186 (1996)।
ਕ੍ਰੇਸ, ਜੀ. ਅਤੇ ਜੌਬਰਟ, ਡੀ. ਅਲਟਰਾਸਾਫਟ ਸੂਡੋਪੋਟੈਂਸ਼ੀਅਲ ਤੋਂ ਪ੍ਰੋਜੈਕਟਰ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੇ ਨਾਲ ਵੇਵ ਵਿਧੀਆਂ ਤੱਕ।ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨਐਡ.ਬੀ 59, 1758–1775 (1999)।
Perdue, JP, Burke, C., ਅਤੇ Ernzerhof, M. ਜਨਰਲਾਈਜ਼ਡ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਅਨੁਮਾਨਾਂ ਨੂੰ ਸਰਲ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ।ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨਸਤਿਕਾਰਯੋਗ ਰਾਈਟ.77, 3865–3868 (1996)।
ਗ੍ਰੀਮ ਐਸ., ਐਂਥਨੀ ਜੇ., ਏਰਲਿਚ ਐਸ., ਅਤੇ ਕ੍ਰੀਗ ਐਚ. 94-ਤੱਤ H-Pu ਦੇ ਘਣਤਾ ਫੰਕਸ਼ਨਲ ਵੇਰੀਅੰਸ ਸੁਧਾਰ (DFT-D) ਦਾ ਇਕਸਾਰ ਅਤੇ ਸਹੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਮਾਪਦੰਡ।ਜੇ. ਕੈਮਿਸਟਰੀਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨ132, 154104 (2010)।
ਇਹ ਕੰਮ ਚੀਨ ਦੇ ਰਾਸ਼ਟਰੀ ਕੁੰਜੀ ਆਰ ਐਂਡ ਡੀ ਪ੍ਰੋਗਰਾਮ (2021YFA1400500, 2018YFA0305800, 2019YFA0307800, 2020YFF01014700, 2017YFA0206300), ਫਾਊਂਡੇਸ਼ਨ 282530, ਨੈਸ਼ਨਲ 11974001, 22075001, 11974024, 11874359, 92165101, 11974388, 51991344) , ਬੀਜਿੰਗ ਕੁਦਰਤੀ ਵਿਗਿਆਨ ਫਾਉਂਡੇਸ਼ਨ (2192022, z190011), ਗੁਆਂਗਡੋਂਗ ਦੁਆਰਾ ਸੂਬਾਈ ਕੁੰਜੀ ਰਿਸਰਚ ਪ੍ਰੋਗਰਾਮ, ਗ੍ਰਾਂਟ ਨੰ. ਮੁੱਖ ਵਿਗਿਆਨਕ ਖੋਜ ਦੀ ਫਰੰਟੀਅਰ ਯੋਜਨਾ (QYZDB-SSW-JSC019)।JC ਬੀਜਿੰਗ ਨੈਚੁਰਲ ਸਾਇੰਸ ਫਾਊਂਡੇਸ਼ਨ ਆਫ ਚਾਈਨਾ (JQ22001) ਦਾ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਸਮਰਥਨ ਲਈ ਧੰਨਵਾਦ ਕਰਦਾ ਹੈ।LW ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਸਮਰਥਨ ਲਈ ਚਾਈਨੀਜ਼ ਅਕੈਡਮੀ ਆਫ ਸਾਇੰਸਿਜ਼ (2020009) ਦੇ ਯੂਥ ਇਨੋਵੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਉਤਸ਼ਾਹਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਐਸੋਸੀਏਸ਼ਨ ਦਾ ਧੰਨਵਾਦ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਕੰਮ ਦਾ ਹਿੱਸਾ ਚੀਨੀ ਅਕੈਡਮੀ ਆਫ਼ ਸਾਇੰਸਜ਼ ਦੀ ਉੱਚ ਚੁੰਬਕੀ ਫੀਲਡ ਲੈਬਾਰਟਰੀ ਦੇ ਸਥਿਰ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਚੁੰਬਕੀ ਫੀਲਡ ਯੰਤਰ ਵਿੱਚ ਅੰਹੂਈ ਸੂਬੇ ਦੀ ਉੱਚ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ ਦੇ ਸਹਿਯੋਗ ਨਾਲ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਕੰਪਿਊਟਿੰਗ ਸਰੋਤ ਪੇਕਿੰਗ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਸੁਪਰਕੰਪਿਊਟਿੰਗ ਪਲੇਟਫਾਰਮ, ਸ਼ੰਘਾਈ ਸੁਪਰਕੰਪਿਊਟਿੰਗ ਸੈਂਟਰ ਅਤੇ ਤਿਆਨਹੇ-1ਏ ਸੁਪਰਕੰਪਿਊਟਰ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ।
Эти авторы внесли равный вклад: Huifeng Tian, ​​Yinhang Ma, Zhenjiang Li, Mouyang Cheng, Shoucong Ning.
Huifeng Tian, ​​Zhenjian Li, Juijie Li, PeiChi Liao, Shulei Yu, Shizhuo Liu, Yifei Li, Xinyu Huang, Zhixin Yao, Li Lin, Xiaoxui Zhao, Ting Lei, Yanfeng Zhang, Yanlong Hou ਅਤੇ Lei Liu
ਸਕੂਲ ਆਫ਼ ਫਿਜ਼ਿਕਸ, ਵੈਕਿਊਮ ਫਿਜ਼ਿਕਸ ਕੀ ਲੈਬਾਰਟਰੀ, ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਆਫ਼ ਚਾਈਨੀਜ਼ ਅਕੈਡਮੀ ਆਫ਼ ਸਾਇੰਸਿਜ਼, ਬੀਜਿੰਗ, ਚੀਨ
ਸਮੱਗਰੀ ਵਿਗਿਆਨ ਅਤੇ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਵਿਭਾਗ, ਸਿੰਗਾਪੁਰ ਦੀ ਨੈਸ਼ਨਲ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ, ਸਿੰਗਾਪੁਰ, ਸਿੰਗਾਪੁਰ
ਬੀਜਿੰਗ ਨੈਸ਼ਨਲ ਲੈਬਾਰਟਰੀ ਆਫ਼ ਮੋਲੇਕਿਊਲਰ ਸਾਇੰਸਿਜ਼, ਸਕੂਲ ਆਫ਼ ਕੈਮਿਸਟਰੀ ਐਂਡ ਮੋਲੀਕਿਊਲਰ ਇੰਜਨੀਅਰਿੰਗ, ਪੇਕਿੰਗ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ, ਬੀਜਿੰਗ, ਚੀਨ
ਬੀਜਿੰਗ ਨੈਸ਼ਨਲ ਲੈਬਾਰਟਰੀ ਫਾਰ ਕੰਡੈਂਸਡ ਮੈਟਰ ਫਿਜ਼ਿਕਸ, ਇੰਸਟੀਚਿਊਟ ਆਫ ਫਿਜ਼ਿਕਸ, ਚਾਈਨੀਜ਼ ਅਕੈਡਮੀ ਆਫ ਸਾਇੰਸਿਜ਼, ਬੀਜਿੰਗ, ਚੀਨ